Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
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2013
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Circuitos integrados Carburos Silicio Real, M.A. Tonina, A. Elmquist, R.E. Lass, E.A. Liu, F.H. Soons, J. Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR National Institute of Standards and Tecgnology. NIST. Maryland, AR TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11 Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar |
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