Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar

por Real, M.A., Tonina, A., Elmquist, R.E., Lass, E.A., Liu, F.H., Soons, J., Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, National Institute of Standards and Tecgnology. NIST. Maryland, AR, TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11
Publicado 2013

Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar

por Real, M.A., Tonina, A., Elmquist, R.E., Lass, E.A., Liu, F.H., Soons, J., Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, National Institute of Standards and Tecgnology. NIST. Maryland, AR, TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11
Publicado 2013