Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Real, Mariano, Tonina, A., Elmquist, Randolph E., Lass, Eric A., Liu, Fan-Hung, Soons, Johannes A., INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, US, TecnoINTI 2013
Formato: conferenceObject
Lenguaje:Español
Publicado: INTI 2013
Materias:
Resistencia eléctrica
Mediciones eléctricas
Difusión
Crecimiento
Morfología
Superficies
Grafito
Ensayos
Acceso en línea:http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH01f9/4c4a8245.dir/doc.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) de INTI
id I60-R166HASH01f94c4a82458a41d6e14bb1
record_format dspace
institution INTI
institution_str I-60
repository_str R-166
collection Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI)
language Español
orig_language_str_mv spa
topic Resistencia eléctrica
Mediciones eléctricas
Difusión
Crecimiento
Morfología
Superficies
Grafito
Ensayos
spellingShingle Resistencia eléctrica
Mediciones eléctricas
Difusión
Crecimiento
Morfología
Superficies
Grafito
Ensayos
Real, Mariano
Tonina, A.
Elmquist, Randolph E.
Lass, Eric A.
Liu, Fan-Hung
Soons, Johannes A.
INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR
National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, US
TecnoINTI 2013
Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
format conferenceObject
author Real, Mariano
Tonina, A.
Elmquist, Randolph E.
Lass, Eric A.
Liu, Fan-Hung
Soons, Johannes A.
INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR
National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, US
TecnoINTI 2013
author_facet Real, Mariano
Tonina, A.
Elmquist, Randolph E.
Lass, Eric A.
Liu, Fan-Hung
Soons, Johannes A.
INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR
National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, US
TecnoINTI 2013
author_sort Real, Mariano
title Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
title_short Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
title_full Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
title_fullStr Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
title_full_unstemmed Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
title_sort crecimiento epitaxial de grafeno en sic(0001) para su aplicación como resistencia estándar
publisher INTI
publishDate 2013
url http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH01f9/4c4a8245.dir/doc.pdf
work_keys_str_mv AT realmariano crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
AT toninaa crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
AT elmquistrandolphe crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
AT lasserica crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
AT liufanhung crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
AT soonsjohannesa crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
AT intifisicaymetrologiabuenosairesar crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
AT nationalinstituteofstandardsandtechnologynistgaithersburgnewyorkus crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
AT tecnointi2013 crecimientoepitaxialdegrafenoensic0001parasuaplicacioncomoresistenciaestandar
bdutipo_str Repositorios
_version_ 1764820544195133443

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