Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar

por Real, Mariano, Tonina, A., Elmquist, Randolph E., Lass, Eric A., Liu, Fan-Hung, Soons, Johannes A., INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, US, TecnoINTI 2013
Publicado 2013