Estudio de celdas solares basadas en materiales III-V

Los dispositivos fotovoltaicos basados en semiconductores III-V se utilizan como fuente de potencia de satélites y otros vehículos espaciales debido a su alta eficiencia y resistencia a la radiación. En particular, los paneles solares de las próximas misiones satelitales argentinas contarán con celd...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Barrera, Marcela Patricia, Plá, Juan Carlos, Rubinelli, Francisco Alberto
Formato:	Articulo
Lenguaje:	Español
Publicado:	2008
Materias:	Ingeniería Ciencias Exactas Energía solar Celdas Solares semiconductores III-V simulación numérica Energía Fotovoltaica
Acceso en línea:	http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/94459
Aporte de:	SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata

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description	Los dispositivos fotovoltaicos basados en semiconductores III-V se utilizan como fuente de potencia de satélites y otros vehículos espaciales debido a su alta eficiencia y resistencia a la radiación. En particular, los paneles solares de las próximas misiones satelitales argentinas contarán con celdas de triple juntura, ATJ (<i>Advanced Triple Junction</i>) InGaP/GaAs/Ge fabricadas por la empresa Emcore. Se realizaron simulaciones numéricas de celdas solares basadas en materiales III-V, estableciéndose para ello una colaboración entre grupos del INTEC y la CNEA. Los cálculos fueron realizados mediante el código D-AMPS-1D el que permite evaluar, entre otras características, las curvas JV bajo iluminación y en oscuridad, la respuesta espectral, la distribución del campo eléctrico en el dispositivo, y la concentración de portadores libres y atrapados. Se presenta el estudio de homojunturas n-p basadas en InGaP, GaAs y Ge, materiales que conforman la mencionada celda de triple juntura, habiéndose llegado a un buen acuerdo entre los parámetros eléctricos simulados en este trabajo y los experimentales presentados en la literatura. Asimismo, se presentan resultados preliminares de la interconexión de las tres homojunturas simuladas para dar lugar a la simulación de una celda triple juntura InGaP/GaAs/Ge. Esta actividad permitirá aportar en el futuro conocimientos para el diseño, predicción del funcionamiento y optimización de este tipo de dispositivos.
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Estudio de celdas solares basadas en materiales III-V

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