Estudio de dispositivos semiconductores expuestos a la radiación espacial

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El presente trabajo apuntó a estudiar procesos físicos que ocurren en dispositivos electrónicos sometidos a radiaciones espaciales. Por medio de algoritmos numéricos se realizó el modelado y la simulación de los dispositivos electrónicos. La descripción del comportamiento de estos dispositivos se lo...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Domingo Yagüez, Gustavo, Villarraza, Diego, Cappelletti, Marcelo Angel, Cédola, Ariel Pablo, Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
Formato: Articulo
Lenguaje:Español
Publicado: 2004
Materias:
Ingeniería
Dispositivos electrónicos
Radiaciones espaciales
Acceso en línea:http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/129494
Aporte de:
SEDICI (UNLP) de Universidad Nacional de La Plata
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description El presente trabajo apuntó a estudiar procesos físicos que ocurren en dispositivos electrónicos sometidos a radiaciones espaciales. Por medio de algoritmos numéricos se realizó el modelado y la simulación de los dispositivos electrónicos. La descripción del comportamiento de estos dispositivos se logra mediante la resolución, en forma numérica, de las ecuaciones de Poisson y de continuidad en forma acoplada. Los efectos de la radiación tenidos en cuenta en este trabajo son los daños por desplazamiento de los átomos, lo que produce una disminución de la vida media de los portadores. Algunos de los resultados obtenidos pudieron ser comparados con mediciones experimentales, encontrándose una muy buena concordancia entre ambos, y corroborando la validez del modelo utilizado.
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