Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si

Mostrar todas las versiones(3)

La superlicie (001) de silicio ha sido objeto de numerosos estudios debido a sus interesantespropiedades, que aportan al avance de la física de semiconductores y a susaplicaciones en dispositivos microelectrónicos. Si(001) es además un buen candidato para usar como sustrato del crecimiento de capas...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor principal: Fu, Chu Chun
Formato: Tesis Doctoral
Lenguaje:Español
Publicado: 2001
Materias:
DINAMICA MOLECULAR
SI(001)
CARBONO AMORFO DURO (DIAMOND-LIKE FILM)
DIFUSION SUPERFICIAL
TIGHT BINDING MOLECULAR DYNAMICS
DIMAOND-LIKE FILMS
SURFACE DIFFUSION
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3341_Fu
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id todo:tesis_n3341_Fu
record_format dspace
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv Español
topic DINAMICA MOLECULAR
SI(001)
CARBONO AMORFO DURO (DIAMOND-LIKE FILM)
DIFUSION SUPERFICIAL
TIGHT BINDING MOLECULAR DYNAMICS
SI(001)
DIMAOND-LIKE FILMS
SURFACE DIFFUSION
spellingShingle DINAMICA MOLECULAR
SI(001)
CARBONO AMORFO DURO (DIAMOND-LIKE FILM)
DIFUSION SUPERFICIAL
TIGHT BINDING MOLECULAR DYNAMICS
SI(001)
DIMAOND-LIKE FILMS
SURFACE DIFFUSION
Fu, Chu Chun
Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si
topic_facet DINAMICA MOLECULAR
SI(001)
CARBONO AMORFO DURO (DIAMOND-LIKE FILM)
DIFUSION SUPERFICIAL
TIGHT BINDING MOLECULAR DYNAMICS
SI(001)
DIMAOND-LIKE FILMS
SURFACE DIFFUSION
description La superlicie (001) de silicio ha sido objeto de numerosos estudios debido a sus interesantespropiedades, que aportan al avance de la física de semiconductores y a susaplicaciones en dispositivos microelectrónicos. Si(001) es además un buen candidato para usar como sustrato del crecimiento de capas delgadas de carbono amorfo, material que tiene una dureza comparable a la del diamante. En esta tesis se estudiaron tres problemas vinculados con esta superficie: 1. El movimiento de balanceo (flipping) de los dímeros de Si(001) y su correlación dinámica tanto en la superficie perfecta como en la presencia de defectos. El períodocaracterístico del balanceo y la correlación del movimiento de dímeros vecinos fueron investigados usando el método de simulación por dinámica molecular tight-binding. Losresultados fueron corroborados en parte por cálculos de primeros principios y tambiéncomparados con los obtenidos por un modelo de Ising bidimensional. Son importantespara la interpretación de imágenes obtenidas por STM a diferentes temperaturas. 2. La estabilidad y difusión de dímeros de Si adsorbidos sobre la superficie Si(001)a temperatura alta. Se observaron diferentes caminos y mecanismos de difusión en lasimulación por dinámica molecular. Los resultados se compararon con los de cálculos a 0Ky con los datos experimentales obtenidos por STM disponibles en la literatura. Tambiénse estimaron las energías de activación de algunos de estos procesos. 3. El depósito de carbono sobre Si(00l), tratando de simular el experirmmto realizado en Tandar. Con este propósito se propuso un modelo tight-binding para sistemas mixtos de Cy Si, a partir de los modelos conocidos para los materiales puros. Se observó la formaciónde una capa de SiC amorfo que sirve como interfaz para crecer sobre ella el carbonoamorfo duro, y se estudiaron sus propiedades estructurales y electrónicas. En particular,se lo caracterizó por su densidad, sus funciones de distribución radiales y angulares, suorden químico y su densidad de estados electrónicos.
format Tesis Doctoral
author Fu, Chu Chun
author_facet Fu, Chu Chun
author_sort Fu, Chu Chun
title Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si
title_short Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si
title_full Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si
title_fullStr Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si
title_full_unstemmed Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si
title_sort estudio por dinámica molecular de la difusión de si y depósito de c sobre la superficie (001) de si
publishDate 2001
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3341_Fu
work_keys_str_mv AT fuchuchun estudiopordinamicamoleculardeladifusiondesiydepositodecsobrelasuperficie001desi
AT fuchuchun moleculardynamicsstudyofdiffusionofsianddepositofcatomsonsi001
_version_ 1782030210723479552
spelling todo:tesis_n3341_Fu2023-10-03T12:38:58Z Estudio por dinámica molecular de la difusión de Si y depósito de C sobre la superficie (001) de Si Molecular dynamics study of diffusion of Si and deposit of C atoms on Si (001) Fu, Chu Chun DINAMICA MOLECULAR SI(001) CARBONO AMORFO DURO (DIAMOND-LIKE FILM) DIFUSION SUPERFICIAL TIGHT BINDING MOLECULAR DYNAMICS SI(001) DIMAOND-LIKE FILMS SURFACE DIFFUSION La superlicie (001) de silicio ha sido objeto de numerosos estudios debido a sus interesantespropiedades, que aportan al avance de la física de semiconductores y a susaplicaciones en dispositivos microelectrónicos. Si(001) es además un buen candidato para usar como sustrato del crecimiento de capas delgadas de carbono amorfo, material que tiene una dureza comparable a la del diamante. En esta tesis se estudiaron tres problemas vinculados con esta superficie: 1. El movimiento de balanceo (flipping) de los dímeros de Si(001) y su correlación dinámica tanto en la superficie perfecta como en la presencia de defectos. El períodocaracterístico del balanceo y la correlación del movimiento de dímeros vecinos fueron investigados usando el método de simulación por dinámica molecular tight-binding. Losresultados fueron corroborados en parte por cálculos de primeros principios y tambiéncomparados con los obtenidos por un modelo de Ising bidimensional. Son importantespara la interpretación de imágenes obtenidas por STM a diferentes temperaturas. 2. La estabilidad y difusión de dímeros de Si adsorbidos sobre la superficie Si(001)a temperatura alta. Se observaron diferentes caminos y mecanismos de difusión en lasimulación por dinámica molecular. Los resultados se compararon con los de cálculos a 0Ky con los datos experimentales obtenidos por STM disponibles en la literatura. Tambiénse estimaron las energías de activación de algunos de estos procesos. 3. El depósito de carbono sobre Si(00l), tratando de simular el experirmmto realizado en Tandar. Con este propósito se propuso un modelo tight-binding para sistemas mixtos de Cy Si, a partir de los modelos conocidos para los materiales puros. Se observó la formaciónde una capa de SiC amorfo que sirve como interfaz para crecer sobre ella el carbonoamorfo duro, y se estudiaron sus propiedades estructurales y electrónicas. En particular,se lo caracterizó por su densidad, sus funciones de distribución radiales y angulares, suorden químico y su densidad de estados electrónicos. The surface Si(001) has been studied in a large number of previous papers, due to itsinteresting physical properties. These studies have improved the knowledge of semiconductorphysics and led to its application in micro-electronic devices. Si(001) is also anexcellent substrate for the growth of amorphous carbon thin films, which have a hardnesssimilar to that of diamond. In this thesis three problems related to Si(001) have beenstudied: I. The flipping of the surface dimers on Si(001) and its dynamical correlation, in the caseof perfect and defective surfaces. The characteristic time between flips and the probabilityof correlated flips, when two nearest neighbouring dimers exchange their buckling positions,hare been studied using tight binding molecular dynamics simulations. The results havebeen compared with first principles calculations and with Monte Carlo simulations usinga two-dimensional Ising model. Thev are important in order to understand STM imagesand their temperature dependence. 2. The stabilitv and diffusion of Si adsorbed dimers on Si(001) at high temperature. Several mechanisms and diffusion pathways have been observed by means of moleculardynamics simulations. The results have been compared with those from first principlescalculations, at 0K, and also with available STM experimental ones. The dynamical activation energies along some pathways have also been estimated. 3. The deposit of energetic C atoms over Si(001), attempting to simulate the experimentalprocedure used in Tandar Laboratory. For this purpose we have proposed a tightbinding model for systems containing both Si and C atoms starting from the available modelsfor the pure materials. The formation of an amorphous SiC (a-SiC) thin film has beenobserved. It may be the interface over which the amorphous carbon thin film would grow. Structural and electronic properties of the a-SiC film so obtained have been investigated,in particular the density, the radial and angular distribution functions, the chemical order and the local density of electronic states. Fil: Fu, Chu Chun. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina. 2001 Tesis Doctoral PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3341_Fu

Ejemplares similares