Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales

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En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Garcés, Felipe Andrés, Acquaroli, Leandro Nicolás, Dussán Cuenca, Anderson, Koropecki, R. R., Arce, Roberto Delio
Lenguaje:Español
Publicado: 2010
Materias:
DIODO SCHOTTKY
SILICIO POROSO
TCO
SOL-GEL
SCHOTTKY DIODE
POROUS SILICON
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling todo:afa_v22_n02_p0322023-10-03T13:24:01Z Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales Porous silicon/SnO2:F junction. Effect of doping on the electrical and structural properties Garcés, Felipe Andrés Acquaroli, Leandro Nicolás Dussán Cuenca, Anderson Koropecki, R. R. Arce, Roberto Delio DIODO SCHOTTKY SILICIO POROSO TCO SOL-GEL SCHOTTKY DIODE POROUS SILICON TCO SOL-GEL En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada In this work we present the electrical and structural characterization of a Schottky junction obtained through the deposition of SnO2:F on porous silicon, using the sol-gel as a deposition method. Two fundamental structural parameters of SnO2, the lattice parameter and the crystallite size, were studied in correlation with the dopant concentration. We analyzed the effects of the dopant (F) on the electrical properties of the junction, such as series resistance, ideality factor, reverse saturation current and photogenerated current. Fil: Garcés, Felipe Andrés. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Acquaroli, Leandro Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Dussán Cuenca, Anderson. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Koropecki, R. R.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina 2010 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v22_n02_p032
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