Crecimiento de películas ultra-delgadas de aisladores sobre una superficie metálica : AlF3 sobre Cu(100)
En este trabajo caracterizamos el crecimiento de películas de fluoruro de aluminio (AlF3) sobre Cu(100) mediante la técnica de microscopía túnel de barrido (STM). Las imágenes túnel muestran que a medida que van creciendo en tamaño las islas de fluoruro de aluminio, éstas experimentan una transición...
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Autores principales: | , , , , |
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Lenguaje: | Español |
Publicado: |
2009
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Materias: | |
Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v21_n01_p230 |
Aporte de: |
Sumario: | En este trabajo caracterizamos el crecimiento de películas de fluoruro de aluminio (AlF3) sobre Cu(100) mediante la técnica de microscopía túnel de barrido (STM). Las imágenes túnel muestran que a medida que van creciendo en tamaño las islas de fluoruro de aluminio, éstas experimentan una transición en su forma a bajos recubrimientos, de compacta a fractal (ramificada). Las islas de forma ramificada crecen lateralmente formando una película bidimensional hasta un recubrimiento de 0.80 monocapas. A mayores recubrimientos el crecimiento del tipo 2D cambia a 3D. Para obtener las imágenes túnel fue necesario utilizar altos voltajes (V≥2.50 V) lo cual muestra el carácter aislador de las islas de fluoruro de aluminio |
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