Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV

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En este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se utilizó espectrometría en la región ultravioleta y visi...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Rinaldi, P., Koropecki, R. R., Buitrago, Román Horacio
Lenguaje:Español
Publicado: 2007
Materias:
SILICIO
REFLECTANCIA
SILICIO NANOCRISTALINO
DESHIDROGENACION
CRYSALLINE SILICON
REFLECTANCE
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p187
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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