Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtención de láminas delgadas de silicio policristalino
En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición....
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| Autores principales: | , , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
2007
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p182 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición. Los procesos térmicos post-deposición, realizados para analizar el cambio de fase amorfa-cristalina, la nucleación y el crecimiento de granos, se orientaron a determinar las mejores condiciones para obtener películas delgadas de silicio policristalino con el mayor tamaño de grano posible. El proceso de cristalización del silicio amorfo hidrogenado, mediante tratamientos térmicos escalonados y secuenciados, dió como resultado un material nanocristalino |
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