Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtención de láminas delgadas de silicio policristalino

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En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición....

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Budini, Nicolás, Schmidt, J. A., Arce, Roberto Delio, Buitrago, Román Horacio
Lenguaje:Español
Publicado: 2007
Materias:
SILICIO AMORFO HIDROGENADO
PELICULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
TRATAMIENTOS TERMICOS
HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON
THIN FILMS
POLYCRYSTALLINE SILICON
THERMAL ANNEALING
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p182
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id todo:afa_v19_n01_p182
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spelling todo:afa_v19_n01_p1822023-10-03T13:23:24Z Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtención de láminas delgadas de silicio policristalino Hydrogenated amorphous silicon as a base material for obtaining polycrystalline silicon thin films Budini, Nicolás Schmidt, J. A. Arce, Roberto Delio Buitrago, Román Horacio SILICIO AMORFO HIDROGENADO PELICULAS DELGADAS SILICIO POLICRISTALINO TRATAMIENTOS TERMICOS HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON THIN FILMS POLYCRYSTALLINE SILICON THERMAL ANNEALING En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición. Los procesos térmicos post-deposición, realizados para analizar el cambio de fase amorfa-cristalina, la nucleación y el crecimiento de granos, se orientaron a determinar las mejores condiciones para obtener películas delgadas de silicio policristalino con el mayor tamaño de grano posible. El proceso de cristalización del silicio amorfo hidrogenado, mediante tratamientos térmicos escalonados y secuenciados, dió como resultado un material nanocristalino In this work, the evolution of structural and electrical transport properties of hydrogenated amorphous silicon thin films subjected to different thermal treatments, was studied. The films were prepared by PECVD at different temperatures and at high deposition rates. Post-deposition thermal annealing processes, performed to analyze the amorphous-to-crystalline phase transition, nucleation and grain growth, have been carried out with the aim of determining the best conditions to obtain polycrystalline silicon thin films with the largest possible grain size. The crystallization process of hydrogenated amorphous silicon, by means of stepped and sequenced thermal annealings, resulted in a nanocrystalline material Fil: Budini, Nicolás. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Schmidt, J. A.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Arce, Roberto Delio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina 2007 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p182
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