Piezorresistividad en películas delgadas de Al Sb
Se prepararon películas delgadas de AlSb, de 20 a 100 nm de espesor, por "cosputtering" secuencial de ambos metales, con cátodos tipo magnetron en corriente continua, sobre sustratos. Los depósitos, caracterizados por difracción de electrones y de rayos X de ángulo rasante, son amorfos en...
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| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1996
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p210 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se prepararon películas delgadas de AlSb, de 20 a 100 nm de espesor, por "cosputtering" secuencial de ambos metales, con cátodos tipo magnetron en corriente continua, sobre sustratos. Los depósitos, caracterizados por difracción de electrones y de rayos X de ángulo rasante, son amorfos en ausencia de calentamiento activo y cristalinos para temperaturas de depósito mayores a 200°C. El control independiente de la corriente catódica permite el ajuste de la estequiometría. Se observaron resistividades mayores a 10⁴ Ω-cm, consistentes con comportamiento semiconductor intrínseco α temperatura ambiente, para muestras estequiométricas. El exceso de aluminio promueve autodopado "p" con resistividades de 0,496 Ω-cm y de 5,35x10ˉ³ Ω-cm en depósitos amorfo y cristalino respectivamente, medidas en geometría de van der Pauw, para NᴀӀ/Nsь =1,5 y espesores de 100 nm. Las películas muestran piezorresistividad concordante con el carácter "gap X" indirecto del AlSb, previsto por la teoría de valles múltiples. El factor de “gauge longitudinal, medido por el método del cantilever, es γ˪=6.2 у γ˪=28.5 para películas amorfas y cristalinas respectivamente |
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