Piezorresistividad en películas delgadas de Al Sb

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Se prepararon películas delgadas de AlSb, de 20 a 100 nm de espesor, por "cosputtering" secuencial de ambos metales, con cátodos tipo magnetron en corriente continua, sobre sustratos. Los depósitos, caracterizados por difracción de electrones y de rayos X de ángulo rasante, son amorfos en...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Saccone, Fabio Daniel, Alonso, P. J., Aragón, Ricardo
Lenguaje:Español
Publicado: 1996
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p210
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling todo:afa_v08_n01_p2102023-10-03T13:22:43Z Piezorresistividad en películas delgadas de Al Sb Saccone, Fabio Daniel Alonso, P. J. Aragón, Ricardo Se prepararon películas delgadas de AlSb, de 20 a 100 nm de espesor, por "cosputtering" secuencial de ambos metales, con cátodos tipo magnetron en corriente continua, sobre sustratos. Los depósitos, caracterizados por difracción de electrones y de rayos X de ángulo rasante, son amorfos en ausencia de calentamiento activo y cristalinos para temperaturas de depósito mayores a 200°C. El control independiente de la corriente catódica permite el ajuste de la estequiometría. Se observaron resistividades mayores a 10⁴ Ω-cm, consistentes con comportamiento semiconductor intrínseco α temperatura ambiente, para muestras estequiométricas. El exceso de aluminio promueve autodopado "p" con resistividades de 0,496 Ω-cm y de 5,35x10ˉ³ Ω-cm en depósitos amorfo y cristalino respectivamente, medidas en geometría de van der Pauw, para NᴀӀ/Nsь =1,5 y espesores de 100 nm. Las películas muestran piezorresistividad concordante con el carácter "gap X" indirecto del AlSb, previsto por la teoría de valles múltiples. El factor de “gauge longitudinal, medido por el método del cantilever, es γ˪=6.2 у γ˪=28.5 para películas amorfas y cristalinas respectivamente AlSb thin films, 20 to 100 nm thick, were deposited by sequential “cosputtering" of pure metal targets, with d.c. magnetron cathodes, on rotating substrates. HEED and grazing-angle X-ray diffraction proved the deposits amorphous, in absence of active heating during deposition, and policristalline, for deposition temperatures above 200°C. Independent control of cathode currents makes stoichiometry adjustment possible. Resistivities in excess of 10⁴ Ω-cm, observed for stoichiometric samples are consistent with intrinsic semiconductor behaviour at room temperature. Excess aluminium promotes p self-doping with resistivities of 0.496 Ω-cm and 5.35x10ˉ³ Ω-cm, in amorphous and crystalline deposits respectively, measured in van der Pauw geometry, for NᴀӀ/Nsь=1.5 and 100 nm tickness. Piezorresistivity, consistent with the indirect X gap of AlSb, is observed, as foreseen by 'many valley theory'. Longitudinal gauge factors, measured by the cantilever method, are 0 nm thickness. Piezorresistivity, consistent with the indirect X gap of AlSb, is observed, as foreseen by 'many valley theory'. Longitudinal gauge measured by the cantilever method, are γ˪=6.2 and γ˪=28.5 for amorphous and crystalline films respectively Fil: Saccone, Fabio Daniel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina Fil: Alonso, P. J.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina Fil: Aragón, Ricardo. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina 1996 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p210
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