Túnel Fowler-Nordheim en estructuras MOS con carga atrapada en el aislante

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En este trabajo se muestra que la corriente de túnel a través del aislante de puerta de una estructura Al-SiO₂Si con carga atrapada en el óxido, puede ser descripta por una expresión del tipo Fowler-Nordheim modificada, donde el campo catódico es reemplazado por la pendiente de la barrera de potenci...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Miranda, Enrique A., Redin, Eduardo Gabriel, Faigón, Adrián Néstor
Lenguaje:Español
Publicado: 1995
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p213
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling todo:afa_v07_n01_p2132023-10-03T13:22:21Z Túnel Fowler-Nordheim en estructuras MOS con carga atrapada en el aislante Miranda, Enrique A. Redin, Eduardo Gabriel Faigón, Adrián Néstor En este trabajo se muestra que la corriente de túnel a través del aislante de puerta de una estructura Al-SiO₂Si con carga atrapada en el óxido, puede ser descripta por una expresión del tipo Fowler-Nordheim modificada, donde el campo catódico es reemplazado por la pendiente de la barrera de potencial a la energía correspondiente al nivel de Fermi en el cátodo. La carga atrapada en el aislante se considera uniformemente distribuida y su valor se deduce a partir del corrimiento de la tensión de bandas planas In this work it is shown that the tunneling current through the gate insulator of an Al-SiO₂-Si structure with trapped charge within the oxide, can be described by a modified Fowler-Nordheim expression, where the cathode field is substituted by the slope of the potential barrier at the energy corresponding to the Fermi level at the cathode. The trapped charge at the insulator is considered to be uniformly distributed and its value is calculated from the flat band voltage shift Fil: Miranda, Enrique A.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina Fil: Faigón, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica (UBA-FI). Buenos Aires. Argentina 1995 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p213
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