Dependencia del gradiente de campo eléctrico con la temperatura en óxidos con la estructura bixbita

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Se presenta un primer informe sobre un estudio realizado para determinar la dependencia del Gradiente de Campo Eléctrico con la Temperatura en óxidos binarios con la estructura bixbita, utilizando como método experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Shitu, Jorge Alejandro, Pasquevich, Alberto Felipe
Lenguaje:Español
Publicado: 1993
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p344
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling todo:afa_v05_n01_p3442023-10-03T13:21:11Z Dependencia del gradiente de campo eléctrico con la temperatura en óxidos con la estructura bixbita Shitu, Jorge Alejandro Pasquevich, Alberto Felipe Se presenta un primer informe sobre un estudio realizado para determinar la dependencia del Gradiente de Campo Eléctrico con la Temperatura en óxidos binarios con la estructura bixbita, utilizando como método experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas Fil: Shitu, Jorge Alejandro. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina Fil: Pasquevich, Alberto Felipe. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Departamento de Física (UNLP-FCE). Buenos Aires. Argentina 1993 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p344
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