Estructura electrónica del Cd como impureza en Si

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Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas del Cd en sitios sustitucionales y intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Caravaca, M. A., Sferco, S. J., Passeggi, M. C. G.
Lenguaje:Español
Publicado: 1989
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p245
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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