Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H

Mostrar todas las versiones(3)

Respuestas espectrales (SR) por encima de la unidad en el azul aún no se han observadas en dispositivos p-i-n de μc-Si:H optimizados para aplicaciones fotovoltaicas o detección de luz al iluminarlos con una luz de polarización roja, efecto conocido como “Photo-gating” Complementario. Calibrando los...

Descripción completa

Guardado en:

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Rubinelli, F. A., De Greef, Marcelo Gastón
Formato:	Artículo publishedVersion
Lenguaje:	Español
Publicado:	Asociación Física Argentina 2016
Materias:	RESPUESTA ESPECTRAL CELDAS SOLARES SENSORES OPTICOS SILICIO MICRO-CRISTALINO SPECTRAL RESPONSE SOLAR CELLS OPTICAL DETECTORS MICRO-CRYSTALLINE SILICON
Acceso en línea:	https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v27_n01_p024
Aporte de:	Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

id	afa:afa_v27_n01_p024
record_format	dspace
spelling	afa:afa_v27_n01_p0242023-11-07T11:03:50Z Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H Spectral Responses Over Unity in μc-Si:H n-i-p Junctions An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2016;01(27):24-29 Rubinelli, F. A. De Greef, Marcelo Gastón RESPUESTA ESPECTRAL CELDAS SOLARES SENSORES OPTICOS SILICIO MICRO-CRISTALINO SPECTRAL RESPONSE SOLAR CELLS OPTICAL DETECTORS MICRO-CRYSTALLINE SILICON Respuestas espectrales (SR) por encima de la unidad en el azul aún no se han observadas en dispositivos p-i-n de μc-Si:H optimizados para aplicaciones fotovoltaicas o detección de luz al iluminarlos con una luz de polarización roja, efecto conocido como “Photo-gating” Complementario. Calibrando los datos de entrada del código D-AMPS mediante el ajuste de curvas experimentales SR y corriente-tensión (J-V) se exploraron las condiciones necesarias para predecir SR > 1 en el azul. Se determinó que sería necesario la existencia de una interfaz p/i defectuosa con una densidad elevada de defectos. El haz de prueba en la zona azul modula la concentración de portadores en la interfaz p/i defectuosa y en la zona frontal de la capa intrínseca dando lugar a un incremento de la intensidad del campo eléctrico en la capa intrínseca junto a su debilitamiento en las capas dopada (p) e interfaz p/i que a su vez dan lugar a una disminución de la tasa de recombinación generándose una ganancia y una SR > 1. El fenómeno puede observarse en junturas con capas dopadas (p)-aSiC:H de elevado gap de movilidad como con capas (p)-μc-Si:H de bajo gap de movilidad siempre que las mismas no presenten una incorporación muy eficiente del boro. Las SR > 1 son muy sensibles a parámetros eléctricos de la interfaz p/i como el gap de movilidad, el espesor, la densidad de defectos, las movilidades y las secciones eficaces de captura de trampas donoras, etc, y a la densidad de boro en la capa (p). Las respuestas anómalas también muestran una gran sensibilidad al contenido espectral de la luz de polarización Spectral responses (SR) above the unity in the blue region of the spectrum in c-Si:H based p-i-n devices optimized for photovoltaic and optical sensor applications when are illuminated with a red bias light, known as Complementary Photo-gating Effect, have not yet been observed. Calibrating the input parameters of the computer code D-AMPS by matching experimental SR and current voltage (J-V) characteristics the necessary conditions to predict anomalous responses at blue wavelengths were explored. SR>1 requires the presence of a defective p/i interface with a density of defects. The probe beam in the blue region modulates the carrier concentration at the defective p/i interface and the front region of the intrinsic layer, strengthen and weakening the field inside the intrinsic layer and at the p-doped layer and p/i interface respectively. This redistribution reduces the recombination rate inside the intrinsic layer giving rise to a gain and the SR>1. The phenomenon is predicted for devices with p-layers with either a high mobility gap such as a-SiC:H or a low mobility gap such as μc-Si:H whenever Boron has not been efficiently incorporated. SR>1 are very sensitive to electrical parameters of the p/i interface such as mobility gap, thickness, density of defects, mobilities and capture cross sectons of donor traps, etc, and to the Boron density in the p-layer. They also show a high sensitivity to the spectral content of the bias light Fil: Rubinelli, F. A.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: De Greef, Marcelo Gastón. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 2016 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v27_n01_p024
institution	Universidad de Buenos Aires
institution_str	I-28
repository_str	R-134
collection	Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language	Español
orig_language_str_mv	spa
topic	RESPUESTA ESPECTRAL CELDAS SOLARES SENSORES OPTICOS SILICIO MICRO-CRISTALINO SPECTRAL RESPONSE SOLAR CELLS OPTICAL DETECTORS MICRO-CRYSTALLINE SILICON
spellingShingle	RESPUESTA ESPECTRAL CELDAS SOLARES SENSORES OPTICOS SILICIO MICRO-CRISTALINO SPECTRAL RESPONSE SOLAR CELLS OPTICAL DETECTORS MICRO-CRYSTALLINE SILICON Rubinelli, F. A. De Greef, Marcelo Gastón Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H
topic_facet	RESPUESTA ESPECTRAL CELDAS SOLARES SENSORES OPTICOS SILICIO MICRO-CRISTALINO SPECTRAL RESPONSE SOLAR CELLS OPTICAL DETECTORS MICRO-CRYSTALLINE SILICON
description	Respuestas espectrales (SR) por encima de la unidad en el azul aún no se han observadas en dispositivos p-i-n de μc-Si:H optimizados para aplicaciones fotovoltaicas o detección de luz al iluminarlos con una luz de polarización roja, efecto conocido como “Photo-gating” Complementario. Calibrando los datos de entrada del código D-AMPS mediante el ajuste de curvas experimentales SR y corriente-tensión (J-V) se exploraron las condiciones necesarias para predecir SR > 1 en el azul. Se determinó que sería necesario la existencia de una interfaz p/i defectuosa con una densidad elevada de defectos. El haz de prueba en la zona azul modula la concentración de portadores en la interfaz p/i defectuosa y en la zona frontal de la capa intrínseca dando lugar a un incremento de la intensidad del campo eléctrico en la capa intrínseca junto a su debilitamiento en las capas dopada (p) e interfaz p/i que a su vez dan lugar a una disminución de la tasa de recombinación generándose una ganancia y una SR > 1. El fenómeno puede observarse en junturas con capas dopadas (p)-aSiC:H de elevado gap de movilidad como con capas (p)-μc-Si:H de bajo gap de movilidad siempre que las mismas no presenten una incorporación muy eficiente del boro. Las SR > 1 son muy sensibles a parámetros eléctricos de la interfaz p/i como el gap de movilidad, el espesor, la densidad de defectos, las movilidades y las secciones eficaces de captura de trampas donoras, etc, y a la densidad de boro en la capa (p). Las respuestas anómalas también muestran una gran sensibilidad al contenido espectral de la luz de polarización
format	Artículo Artículo publishedVersion
author	Rubinelli, F. A. De Greef, Marcelo Gastón
author_facet	Rubinelli, F. A. De Greef, Marcelo Gastón
author_sort	Rubinelli, F. A.
title	Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H
title_short	Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H
title_full	Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H
title_fullStr	Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H
title_full_unstemmed	Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H
title_sort	respuestas espectrales mayores a uno en junturas n-i-p de μc-si:h
publisher	Asociación Física Argentina
publishDate	2016
url	https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v27_n01_p024
work_keys_str_mv	AT rubinellifa respuestasespectralesmayoresaunoenjunturasnipdemcsih AT degreefmarcelogaston respuestasespectralesmayoresaunoenjunturasnipdemcsih AT rubinellifa spectralresponsesoverunityinmcsihnipjunctions AT degreefmarcelogaston spectralresponsesoverunityinmcsihnipjunctions
_version_	1782021937479811072

Respuestas Espectrales Mayores a Uno en Junturas n-i-p de μc-Si:H

Ejemplares similares