Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si

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En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglome...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín, Fernández, Julián Roberto
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2009
Materias:
VACANCIAS
AGLOMERACION
SILICIO
MONTE CARLO
VACANCIES
CLUSTERING
SILICON
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v21_n01_p179
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id afa:afa_v21_n01_p179
record_format dspace
spelling afa:afa_v21_n01_p1792023-11-07T11:02:44Z Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si Modeling of point defects evolution in Si An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2009;01(21):179-182 Smetniansky-De Grande, N. Alurralde, Martín Fernández, Julián Roberto VACANCIAS AGLOMERACION SILICIO MONTE CARLO VACANCIES CLUSTERING SILICON MONTE CARLO En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglomerados. En una segunda etapa se reemplaza éste por el algoritmo de Bortz, Kalos y Lebowitz que permite acelerar los tiempos de simulación cuando el algoritmo anterior se hace ineficiente. Los resultados obtenidos con la aplicación de ambos algoritmos se comparan con los correspondientes a un trabajo previo basado en un modelo de evolución en el continuo In this work, the mobility and clustering of vacancies in Si is studied using kinetic Monte Carlo technique at relatively low temperatures. In a first stage the Metropolis algorithm is used to simulate the clusters nucleation and growth. In a second stage the latter is replaced by the algorithm of Bortz, Kalos and Lebowiz that allows to accelerate the simulation time when the former algorithm becomes inefficient. Results obtained from the application of both algorithms are compared with those corresponding to a previous work based on an evolution model in the continuum Fil: Smetniansky-De Grande, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina Fil: Alurralde, Martín. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física (CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina Fil: Fernández, Julián Roberto. Universidad Nacional de San Martín (UNSAM-CNEA). Instituto Sábato. Buenos Aires. Argentina Asociación Física Argentina 2009 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v21_n01_p179
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
topic VACANCIAS
AGLOMERACION
SILICIO
MONTE CARLO
VACANCIES
CLUSTERING
SILICON
MONTE CARLO
spellingShingle VACANCIAS
AGLOMERACION
SILICIO
MONTE CARLO
VACANCIES
CLUSTERING
SILICON
MONTE CARLO
Smetniansky-De Grande, N.
Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si
topic_facet VACANCIAS
AGLOMERACION
SILICIO
MONTE CARLO
VACANCIES
CLUSTERING
SILICON
MONTE CARLO
description En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglomerados. En una segunda etapa se reemplaza éste por el algoritmo de Bortz, Kalos y Lebowitz que permite acelerar los tiempos de simulación cuando el algoritmo anterior se hace ineficiente. Los resultados obtenidos con la aplicación de ambos algoritmos se comparan con los correspondientes a un trabajo previo basado en un modelo de evolución en el continuo
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Smetniansky-De Grande, N.
Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
author_facet Smetniansky-De Grande, N.
Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
author_sort Smetniansky-De Grande, N.
title Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si
title_short Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si
title_full Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si
title_fullStr Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si
title_full_unstemmed Modelado de la evolución de defectos puntuales en Si
title_sort modelado de la evolución de defectos puntuales en si
publisher Asociación Física Argentina
publishDate 2009
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v21_n01_p179
work_keys_str_mv AT smetnianskydegranden modeladodelaevoluciondedefectospuntualesensi
AT alurraldemartin modeladodelaevoluciondedefectospuntualesensi
AT fernandezjulianroberto modeladodelaevoluciondedefectospuntualesensi
AT smetnianskydegranden modelingofpointdefectsevolutioninsi
AT alurraldemartin modelingofpointdefectsevolutioninsi
AT fernandezjulianroberto modelingofpointdefectsevolutioninsi
_version_ 1782022158025752576

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