Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV

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En este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se utilizó espectrometría en la región ultravioleta y visi...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Rinaldi, P., Koropecki, Roberto Román, Buitrago, Román Horacio
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2007
Materias:
SILICIO
REFLECTANCIA
SILICIO NANOCRISTALINO
DESHIDROGENACION
CRYSALLINE SILICON
REFLECTANCE
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p187
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v19_n01_p1872025-03-11T11:33:07Z Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-SI : H mediante reflectancia en UV Crystallization process in hydrogenated amorphous silicon thin films : an UV reflectance study An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):187-190 Rinaldi, P. Koropecki, Roberto Román Buitrago, Román Horacio SILICIO REFLECTANCIA SILICIO NANOCRISTALINO DESHIDROGENACION CRYSALLINE SILICON REFLECTANCE En este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se utilizó espectrometría en la región ultravioleta y visible, rayos X y Raman. La altura de los picos característicos del silicio cristalino, que aparecen en el espectro de reflectancia a 276 y 356nm es un buen indicador del grado de cristalinidad, permitiendo caracterizar las etapas de nucleación y crecimiento del grano cristalino In this paper results of the study of crystallization characteristics in annealed samples are presented. The samples were deposited by PECVD and then were are exposed to several thermal processes. Spectrometry in the UV and visible region, X-ray diffraction and Raman were used. The height of the peaks appearing at 276 and 356nm, which are characteristic of crystalline silicon, is a good indicator of crystallinity, and allow the characterisation of nucleation and growth of crystalline grains Fil: Rinaldi, P.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Koropecki, Roberto Román. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 2007 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p187
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