Dinámica de clusters de vacancias en silicio

Mostrar todas las versiones(3)

Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Smetniansky-De Grande, N., Alurralde, Martín, Fernández, Julián Roberto
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2007
Materias:
DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
SILICIO
VACANCY CLUSTER DYNAMICS
POINT DEFECTS
COMPUTER SIMULATION
SILICON
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id afa:afa_v19_n01_p141
record_format dspace
spelling afa:afa_v19_n01_p1412023-11-07T11:02:27Z Dinámica de clusters de vacancias en silicio Vacancy cluster dynamics in silicon An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2007;01(19):141-145 Smetniansky-De Grande, N. Alurralde, Martín Fernández, Julián Roberto DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS DEFECTOS PUNTUALES SIMULACION POR COMPUTADORA SILICIO VACANCY CLUSTER DYNAMICS POINT DEFECTS COMPUTER SIMULATION SILICON Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones. The vacancy cluster dynamics in Silicon is studied, in a continuum approximation, using computational models. The model assumes that vacancies, created under thermal activation or under irradiation, migrate and recombine creating clusters and that the dimensional changes of these clusters are due to the absorption or emission of one vacancy. The temporal evolution of the cluster size distribution and its dependence on irradiation and temperature are analyzed. The results show that even at relatively low temperatures (100°C) and low irradiation values, vacancy clustering is enhanced under proton irradiation Fil: Smetniansky-De Grande, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina Fil: Alurralde, Martín. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina Fil: Fernández, Julián Roberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes.(CAC-CNEA-CONICET). Departamento de Materiales. Buenos Aires. Argentina Asociación Física Argentina 2007 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
topic DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
SILICIO
VACANCY CLUSTER DYNAMICS
POINT DEFECTS
COMPUTER SIMULATION
SILICON
spellingShingle DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
SILICIO
VACANCY CLUSTER DYNAMICS
POINT DEFECTS
COMPUTER SIMULATION
SILICON
Smetniansky-De Grande, N.
Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
Dinámica de clusters de vacancias en silicio
topic_facet DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS
DEFECTOS PUNTUALES
SIMULACION POR COMPUTADORA
SILICIO
VACANCY CLUSTER DYNAMICS
POINT DEFECTS
COMPUTER SIMULATION
SILICON
description Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Smetniansky-De Grande, N.
Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
author_facet Smetniansky-De Grande, N.
Alurralde, Martín
Fernández, Julián Roberto
author_sort Smetniansky-De Grande, N.
title Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_short Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_full Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_fullStr Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_full_unstemmed Dinámica de clusters de vacancias en silicio
title_sort dinámica de clusters de vacancias en silicio
publisher Asociación Física Argentina
publishDate 2007
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v19_n01_p141
work_keys_str_mv AT smetnianskydegranden dinamicadeclustersdevacanciasensilicio
AT alurraldemartin dinamicadeclustersdevacanciasensilicio
AT fernandezjulianroberto dinamicadeclustersdevacanciasensilicio
AT smetnianskydegranden vacancyclusterdynamicsinsilicon
AT alurraldemartin vacancyclusterdynamicsinsilicon
AT fernandezjulianroberto vacancyclusterdynamicsinsilicon
_version_ 1782021924793090048

Ejemplares similares