Conductividad no-óhmica en silicio dopado nanocristalino : efecto del campo aplicado

En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Concari, Sonia Beatriz, Cutrera, Miriam Edith, Buitrago, Román Horacio
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2003
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v15_n01_p175
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling afa:afa_v15_n01_p1752025-03-11T11:31:41Z Conductividad no-óhmica en silicio dopado nanocristalino : efecto del campo aplicado An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2003;01(15):175-178 Concari, Sonia Beatriz Cutrera, Miriam Edith Buitrago, Román Horacio En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el rango 0,1 − 2 x 10⁴ V/cm. Se observaron diferentes comportamientos, óhmico y no-óhmico para distintos rangos del campo. En la región de campos débiles (inferiores a 9 V/cm), la conductividad presenta un decrecimiento con el campo según una función exp[-(F)¹∕⁴ ]. En la región de campos intensos (superiores a 9 x 10² V/cm) la conductividad crece con el campo como ~ exp(F), y en la región intermedia, la conductividad es independiente del campo aplicado Results of dark conductivity in nanocrystalline silicon thin films doped with boron were studied as a function of the applied field. Conductivity was measured varying the temperature between 270 K and 450 K, and the electric applied field (F) in the range 0,1 - 2 x 10⁴ V/cm. Different behavior was observed, ohmic and non-ohmic, for different ranges of the applied field. In the low field range (lower than 9 V/cm), the conductivity decreases with the increasing filed as a function ~ exp[-(F)¹∕⁴. In the strong field range (above 9 x 10² V/cm) the conductivity grows with the field as exp(F), and for intermediate fields the conductivity is non-field dependent Fil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina Fil: Cutrera, Miriam Edith. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 2003 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v15_n01_p175
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