Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado

Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Concari, Sonia Beatriz, Buitrago, Román Horacio
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2002
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p235
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id afa:afa_v14_n01_p235
record_format dspace
spelling afa:afa_v14_n01_p2352025-03-11T11:31:21Z Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 2002;01(14):235-237 Concari, Sonia Beatriz Buitrago, Román Horacio Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores térmicamente activado, con energías de activación constante en todo el rango estudiado. Siguiendo el método propuesto por Godet, se estableció que el mecanismo de transporte electrónico predominante para este conjunto de diferentes muestras es el de hoppping de rango fonónico variable Conductivity measurements of a great number of intrinsic microcrystalline Silicon thin films as well as p type doped with Boron were done. Conductivity as a function of the inverse of temperature showed a thermally activated behavior of electric carriers with constant activation energy in all the range studied. Following the method proposed by Godet, the predominant electronic transport mechanism for this group of different films was established, being a phononic variable range hopping Using classical equations of Percolation Theory, the density of states near the Fermi level was calculated obtaining values that are consistent with the results of other independent experiments Fil: Concari, Sonia Beatriz. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ). Santa Fe. Argentina Fil: Buitrago, Román Horacio. Universidad Nacional del Litoral. Facultad de Ingeniería Química (UNL-FIQ) Santa Fe. Argentina Asociación Física Argentina 2002 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p235
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv spa
description Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores térmicamente activado, con energías de activación constante en todo el rango estudiado. Siguiendo el método propuesto por Godet, se estableció que el mecanismo de transporte electrónico predominante para este conjunto de diferentes muestras es el de hoppping de rango fonónico variable
format Artículo
Artículo
publishedVersion
author Concari, Sonia Beatriz
Buitrago, Román Horacio
spellingShingle Concari, Sonia Beatriz
Buitrago, Román Horacio
Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
author_facet Concari, Sonia Beatriz
Buitrago, Román Horacio
author_sort Concari, Sonia Beatriz
title Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_short Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_full Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_fullStr Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_full_unstemmed Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
title_sort interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado
publisher Asociación Física Argentina
publishDate 2002
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p235
work_keys_str_mv AT concarisoniabeatriz interpretaciondelosmecanismosdetransporteensiliciomicrocristalinointrinsecoydopado
AT buitragoromanhoracio interpretaciondelosmecanismosdetransporteensiliciomicrocristalinointrinsecoydopado
_version_ 1831980690622644224

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