Estructura electrónica de óxidos de GaAs
Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO₄, As₂O₅, y Ga₂O₃. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de l...
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Asociación Física Argentina
1991
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afa:afa_v03_n01_p3672023-11-07T10:59:13Z Estructura electrónica de óxidos de GaAs An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) 1991;01(03):367-370 Albanesi, Eduardo Aldo Sferco, S. J. Allan, G. Lannoo, M. Hollinger, G. Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO₄, As₂O₅, y Ga₂O₃. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de las respectivas estructuras de bandas utilizando un método tight-binding. Se identifican los estados atómicos que contribuyen a cada pico experimental y se correlacionan las diferencias estructurales entre estos óxidos con los diferentes rasgos experimentales exhibidos en los espectros XPS Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Sferco, S. J.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Allan, G.. ISEN. Cedex. Francia Fil: Lannoo, M.. ISEN. Cedex. Francia Fil: Hollinger, G.. École Centrale de Lyon. Cedex. Francia Asociación Física Argentina 1991 info:ar-repo/semantics/artículo info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion application/pdf spa info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v03_n01_p367 |
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Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO₄, As₂O₅, y Ga₂O₃. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de las respectivas estructuras de bandas utilizando un método tight-binding. Se identifican los estados atómicos que contribuyen a cada pico experimental y se correlacionan las diferencias estructurales entre estos óxidos con los diferentes rasgos experimentales exhibidos en los espectros XPS |
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