Cita APA (7a ed.)

Real, M., Tonina, A., Elmquist, R., Lass, E., Liu, F., Soons, J., . . . TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, I. y. T. T. (2013). Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar. INTI.

Cita Chicago Style (17a ed.)

Real, M.A, A. Tonina, R.E Elmquist, E.A Lass, F.H Liu, J. Soons, AR Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR National Institute of Standards and Tecgnology. NIST. Maryland, y Innovación y Transferencia Tecnológica TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo. Crecimiento Epitaxial De Grafeno En SiC(0001) Para Su Aplicación Como Resistencia Estándar. INTI, 2013.

Cita MLA (8a ed.)

Real, M.A, et al. Crecimiento Epitaxial De Grafeno En SiC(0001) Para Su Aplicación Como Resistencia Estándar. INTI, 2013.

Precaución: Estas citas no son 100% exactas.