Cita APA (7a ed.)

Real, M., Tonina, A., Elmquist, R. E., Lass, E. A., Liu, F., Soons, J. A., . . . 2013, T. (2013). Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar. INTI.

Cita Chicago Style (17a ed.)

Real, Mariano, A. Tonina, Randolph E. Elmquist, Eric A. Lass, Fan-Hung Liu, Johannes A. Soons, AR INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, US National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, y TecnoINTI 2013. Crecimiento Epitaxial De Grafeno En SiC(0001) Para Su Aplicación Como Resistencia Estándar. INTI, 2013.

Cita MLA (8a ed.)

Real, Mariano, et al. Crecimiento Epitaxial De Grafeno En SiC(0001) Para Su Aplicación Como Resistencia Estándar. INTI, 2013.