Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards
Guardado en:
| Autores principales: | Real, Mariano, Shen, Tian, Jones, George R., Elmquist, Randolph E., Soons, Johannes A., Davydov, Albert V., National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg, US, INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR, Conference on precision electromagnetic measurements |
|---|---|
| Formato: | conferenceObject |
| Lenguaje: | Inglés |
| Publicado: |
IEEE
2012
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH0101/0022a63f.dir/doc.pdf |
| Aporte de: |
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