Crecimiento y caracterización de heteroestructuras basadas en semiconductores III-V

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En este trabajo presentamos el crecimiento y la caracterización de muestras epitaxiales basadas en materiales semiconductores III-V crecidos por epitaxia de haces moleculares (MBE). En particular presentamos resultados de caracterización de composici ón de Al_xGa_1-xAs en el rango 0 < x < 0...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor principal: González, Manuel
Formato: Tesis NonPeerReviewed
Lenguaje:Español
Publicado: 2020
Materias:
Física de materiales
Epitaxy
Epitaxia
Molecular beams
Haces moleculares
[Semiconductor
Semiconductor
Characterization
Caracterización
Composition
Composición
Heterostructures
Heteroestructuras]
Acceso en línea:http://ricabib.cab.cnea.gov.ar/934/1/Gonzalez_M.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro (RICABIB) de Instituto Balseiro
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