Experimental determination of multiple ionization cross sections in Si by electron impact

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The thin sample method is often used to experimentally determine ionization cross sections, specially when focusing on the low overvoltage region. The simplicity of the formalism involved in this method is very appealing, but some experimental complications arise in the preparation of thin films. In...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Pérez, Pablo Daniel, Sepúlveda, Andrés, Castellano, Gustavo, Trincavelli, Jorge
Formato: acceptedVersion Fil: Fil: Pérez, Pablo Daniel. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía y Física; Argentina. Fil: Fil: Pérez, Pablo Daniel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina. Fil: Fil: Sepúlveda, Andrés. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía y Física; Argentina. Fil: Fil: Sepúlveda, Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina. Fil: Fil: Castellano, Gustavo. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía y Física; Argentina. Fil: Fil: Castellano, Gustavo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina. Fil: Fil: Trincavelli, Jorge. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía y Física; Argentina. Fil: Fil: Trincavelli, Jorge. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina. article
Lenguaje:Inglés
Publicado: 2022
Materias:
Inner-shell ionization
X-ray emission
Spectral processing
Transition rates
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/11086/23708
Aporte de:
Repositorio Digital Universitario (UNC) de Universidad Nacional de Córdoba
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Pérez, Pablo Daniel
Sepúlveda, Andrés
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description The thin sample method is often used to experimentally determine ionization cross sections, specially when focusing on the low overvoltage region. The simplicity of the formalism involved in this method is very appealing, but some experimental complications arise in the preparation of thin films. In this work, a thick sample method was used to measure the Si-K x-ray production cross section by electron impact. The good agreement between the results obtained and the values reported in the literature validates the method and the parameters used. The advantages and disadvantages of the method are discussed and its application is extended to the determination of Si multiple ionization cross sections, where the very low emission rates (around two orders of magnitude lower than the single ionization case) make the use of the thin sample method impracticable.
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