Dinámica de clusters de vacancias en silicio

Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Smetniansky-De Grande, N. (Autor, autor), Alurralde, Martín (autor), Fernández, Julián Roberto (autor)
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:Español
Publicado: Villa Martelli, Buenos Aires : Asociación Física Argentina, 2007
Materias:
Acceso en línea:Registro en la Biblioteca Digital
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Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
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300 |a p. 141-145 :   |b il., gráfs., tablas 
504 |a Referencias bibliográficas. 
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518 |o Fecha de publicación en la Biblioteca Digital FCEN-UBA  |d 2023-03-23 
520 3 |a Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos se debe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.   |l spa 
520 3 |a The vacancy cluster dynamics in Silicon is studied, in a continuum approximation, using computational models. The model assumes that vacancies, created under thermal activation or under irradiation, migrate and recombine creating clusters and that the dimensional changes of these clusters are due to the absorption or emission of one vacancy. The temporal evolution of the cluster size distribution and its dependence on irradiation and temperature are analyzed. The results show that even at relatively low temperatures (100°C) and low irradiation values, vacancy clustering is enhanced under proton irradiation  |l eng 
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653 1 0 |a DINAMICA DE AGLOMERADOS DE VACANCIAS 
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700 1 |4 aut  |a Alurralde, Martín  |e autor  |u Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Departamento de Física.(CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina 
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773 0 |d Villa Martelli, Buenos Aires. Asociación Física Argentina,   |g v. 19  |h pp. 141-145  |k n. 01  |p An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)  |w (AR-BaUEN)CENRE-9838  |x 1850-1168  |t Anales AFA 
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