Depósito y caracterización de películas de ZnO:Al como capa antirreflectiva para su aplicación en celdas solares de silicio policristalino
En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares...
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| Autores principales: | , , , , |
|---|---|
| Formato: | Capítulo de libro |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Villa Martelli, Buenos Aires :
Asociación Física Argentina,
2010
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | Registro en la Biblioteca Digital Handle DOI |
| Aporte de: | Registro referencial: Solicitar el recurso aquí |
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|---|---|---|---|
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| 100 | 1 | |4 aut |a Mora, F. |e autor |u Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (ICUAP-CIDS). Puebla. México | |
| 245 | 1 | 0 | |a Depósito y caracterización de películas de ZnO:Al como capa antirreflectiva para su aplicación en celdas solares de silicio policristalino |
| 246 | 3 | 1 | |a Deposition and characterization of ZnO:Al films for application as antireflective in polycrytalline solar cells |
| 260 | |a Villa Martelli, Buenos Aires : |b Asociación Física Argentina, |c 2010 | ||
| 270 | |m rbuitre@intec.unl.edu.ar |z Correo electrónico del Autor de correspondencia | ||
| 300 | |a p. 67-71 : |b il., gráfs., tablas | ||
| 504 | |a Referencias bibliográficas. | ||
| 506 | |2 openaire |e Acuerdo editorial |f info:eu-repo/semantics/openAccess | ||
| 518 | |o Fecha de publicación en la Biblioteca Digital FCEN-UBA |d 2023-03-23 | ||
| 520 | 3 | |a En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares de película delgada de silicio policristalino. Se obtuvieron películas con resistencias de lámina de 13 Ω/cm2, transmitancias mayores al 80% en el visible y un factor de textura (Haze) del 14%. Se realizó un tratamiento térmico a 580 °C por 24 hs, para valorar la estabilidad térmica de sus propiedades, encontrando que las mismas no se modifican significativamente. Posteriormente se depositó sobre la capa de ZnO:Al una de a-Si:H por PECVD y se cristalizó por NIC para obtener p-Si. Resultados de DRX, muestran la estructura de p-Si con orientación preferencial en el plano (220). Finalmente se obtuvieron los espectros de reflectancia total para tres configuraciones, las propiedades como película antirreflectante del ZnO:Al no cambian significativamente acoplando a-Si:H o p-Si |l spa | |
| 520 | 3 | |a In this work we present results on the deposition of ZnO:Al films to be used as antireflective coating in solar cells. The films were deposited by RF Sputtering onto a glass substrate. To optimize the electro-optical properties of the films the substrate temperature, the pressure and the RF power were varied. The transmission and the haze factor were measured for the visible range. Resistances of the order of 13 Ω/cm2 and transmission higher than 80 % were obtained. To study the thermal stability of the ZnO films they were annealed at 580 °C during 24 hrs, its properties remain stable. Then on the top of the ZnO films a thin layer of a-Si:H was deposited by PECVD and crystallized following the NIC method, XRD analysis showed a polycrystalline film oriented in the (220) plane. Finally, the total reflectance was measured in three configurations, the antireflective properties of ZnO were similar for a-Si:H and p-Si. |l eng | |
| 540 | |2 cc |f https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar | ||
| 653 | 1 | 0 | |a OXIDO DE ZINC |
| 653 | 1 | 0 | |a ANTIRREFLECTANTE |
| 653 | 1 | 0 | |a TEXTURA |
| 653 | 1 | 0 | |a CRISTALIZACION |
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| 690 | 1 | 0 | |a POLLYCRYSTALLINE SILICON |
| 700 | 1 | |4 aut |e autor |a Buitrago, Román Horacio |g rbuitre@intec.unl.edu.ar |u Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina | |
| 700 | 1 | |4 aut |e autor |a Urteaga, R. |u Instituto de Desarrollo Tecnológico para la industria Química (INTEC)-CONICET. Santa Fe. Argentina | |
| 700 | 1 | |4 aut |e autor |a Juárez, H. |u Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (ICUAP-CIDS). Puebla. México | |
| 700 | 1 | |4 aut |e autor |a Díaz, Tomás |u Universidad Autónoma de Puebla. Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (ICUAP-CIDS). Puebla. México | |
| 773 | 0 | |d Villa Martelli, Buenos Aires. Asociación Física Argentina, |g v. 22 |h pp. 67-71 |k n. 01 |p An. (Asoc. Fís. Argent., En línea) |w (AR-BaUEN)CENRE-9838 |x 1850-1168 |t Anales AFA | |
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| 856 | 4 | 1 | |q application/pdf |x derivado |y PDF |u https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v22_n01_p067.pdf |
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| 856 | 4 | 1 | |q application/pdf |x doi |y DOI |u https://doi.org/10.31527/analesafa.2011.22.1.67 |
| 901 | |l 7 |m Rosana Benitez |n 56678 |q Lucía Bongiovanni | ||
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