Micromaquinado con láseres sólidos de nano y femtosegundos : comparación de resultados

En este trabajo se presentan los resultados de la comparación del micromaquinado láser de obleas de silicio empleando la técnica de escritura directa (direct writing) con pulsos de nanosegundos generados por la técnica de Q-switch en Nd:YAG y pulsos de femtosegundos, provenientes del Ti:Zafiro mode...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Rava, D. (Autor, autor), Ferrero, Hugo Eduardo (autor), Fidalgo, Luis Enrique (autor), Agüero, Mónica Beatriz (autor), Hnilo, Alejandro Andrés (autor), Kovalsky, M. (autor)
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:Español
Publicado: Villa Martelli, Buenos Aires : Asociación Física Argentina, 2014
Materias:
Acceso en línea:Registro en la Biblioteca Digital
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DOI
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
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100 1 |4 aut  |a Rava, D.  |e autor  |u Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA-FCEyN). Departamento de Física. Buenos Aires. Argentina 
245 1 0 |a Micromaquinado con láseres sólidos de nano y femtosegundos :   |b comparación de resultados 
246 3 1 |a Nano and femtosecond solid state laser micromachining :   |b comparison of results 
260 |a Villa Martelli, Buenos Aires :  |b Asociación Física Argentina,  |c 2014 
270 |m mkovalsky@citedef.gob.ar  |z Correo electrónico del Autor de correspondencia 
300 |a p. 91-95 :   |b il., fotos, gráfs. 
504 |a Referencias bibliográficas. 
506 |2 openaire  |e Acuerdo editorial  |f info:eu-repo/semantics/openAccess 
518 |o Fecha de publicación en la Biblioteca Digital FCEN-UBA  |d 2023-03-23 
520 3 |a En este trabajo se presentan los resultados de la comparación del micromaquinado láser de obleas de silicio empleando la técnica de escritura directa (direct writing) con pulsos de nanosegundos generados por la técnica de Q-switch en Nd:YAG y pulsos de femtosegundos, provenientes del Ti:Zafiro mode lockeado. Se determinaron los efectos de la redeposición de escombros (debris) y se proponen técnicas para su control  |l spa 
520 3 |a In this paper we present the comparison of direct writing silicon wafer using Q-switched pulses from a Nd:YAG laser and mode locking pulses from a Ti:Sapphire laser. We describe the debris effect in both cases and propose several techniques in order to minimize the effect  |l eng 
540 |2 cc  |f https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar 
653 1 0 |a MICROMAQUINADO LASER 
653 1 0 |a OBLEAS DE SILICIO 
653 1 0 |a LASER DE ND:YAG 
690 1 0 |a LASER MICROMACHINING 
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700 1 |4 aut  |a Ferrero, Hugo Eduardo  |e autor  |u Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA-FCEyN). Departamento de Física. Buenos Aires. Argentina 
700 1 |4 aut  |a Fidalgo, Luis Enrique  |e autor  |u Ministerio de Defensa - CONICET. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Departamento de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones (UNIDEF- DEILAP). Buenos Aires. Argentina 
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700 1 |4 aut  |a Hnilo, Alejandro Andrés  |e autor  |u Ministerio de Defensa - CONICET. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Departamento de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones (UNIDEF- DEILAP). Buenos Aires. Argentina 
700 1 |4 aut  |a Kovalsky, M.  |e autor  |g mkovalsky@citedef.gob.ar  |u Ministerio de Defensa - CONICET. Unidad de Investigación y Desarrollo Estratégico para la Defensa. Departamento de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones (UNIDEF- DEILAP). Buenos Aires. Argentina 
773 0 |d Villa Martelli, Buenos Aires. Asociación Física Argentina,   |g v. 25  |h pp. 91-95  |k n. 02  |p An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)  |w (AR-BaUEN)CENRE-9838  |x 1850-1168  |t Anales AFA 
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