Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs simulaci�on y aplicaci�on en transistores de alta movilidad /

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Rodr�iguez, Eduardo Mart�in
Autor Corporativo: e-libro, Corp
Otros Autores: Gonz�alez R., Estrella
Formato: Artículo
Lenguaje:Español
Publicado: Bogot�a : Universidad Nacional de Colombia, Facultad de Ingenier�ia, 2011.
Materias:
Acceso en línea:https://elibro.net/ereader/ufasta/96377
Aporte de:Registro referencial: Solicitar el recurso aquí
LEADER 01489nab a2200373 a 4500
001 ELB96377
003 FlNmELB
006 m o d |
007 cr cn|||||||||
008 201202r2011 ck |||||s|||||||||||spa d
022 |a 2248-8723 
035 |a (OCoLC)1105857388 
040 |a FlNmELB  |b spa  |c FlNmELB 
050 4 |a TA7  |b R696 2011 
080 |a 62 
082 0 4 |a 620  |2 22 
100 1 |a Rodr�iguez, Eduardo Mart�in. 
210 1 0 |a Ing. Investig. 
222 0 |a Ingenier�ia e investigaci�on 
245 1 0 |a Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs  |h [recurso electronico] :  |b simulaci�on y aplicaci�on en transistores de alta movilidad /  |c Eduardo Mart�in Rodr�iguez, Estrella Gonz�alez R. 
260 |a Bogot�a :  |b Universidad Nacional de Colombia, Facultad de Ingenier�ia,  |c 2011. 
300 |a 144-153 p. 
310 |a Cuatrimestral 
362 0 |a Vol. 31, Num. 1 (2011)- 
533 |a Recurso electr�onico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible v�ia World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro. 
546 |a Art�iculo en espa�nol; resumenes en espa�nol e ingl�es. 
650 4 |a Ingenier�ia  |v Publicaciones peri�odicas. 
650 4 |a Engineering  |v Periodicals. 
655 4 |a Art�iculos electr�onicos. 
700 1 |a Gonz�alez R., Estrella. 
710 2 |a e-libro, Corp. 
740 0 2 |a Ingenier�ia e investigaci�on. 
856 4 0 |u https://elibro.net/ereader/ufasta/96377 
999 |c 58552  |d 58552