Estudio de los alcances y la validez de la aproximación de Simmon-Taylor en el modelado de dispositivos de semiconductores desordenados

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La performance de los dispositivos electrónicos de materiales amorfos es altamente dependiente de la densidad de estados presente dentro de la banda prohibida (gap) que contiene una distribución continua compuesta de dos colas exponencialmente decrecientes y estados profundos. La carga atrapada en l...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: De Greef, Marcelo Gastón, Ramirez, H., Rubinelli, F. A.
Lenguaje:Español
Publicado: 2011
Materias:
APROXIMACION SIMMON-TAYLOR
SEMICONDUCTORES AMORFOS
CELDAS SOLARES
DAMPS
SIMMON-TAYLOR APPROACH
AMORPHOUS SEMICONDUCTORS
SOLAR CELLS
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v23_n02_p060
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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