Generación de estados superficiales en la interface SiON-Si por inyección túnel en transistores PMOS
Se investigó la generación de estados superficiales por inyección túnel en la interface aislante-silicio y su distribución energética en función de la carga inyectada y de la polaridad de inyección en transistores PMOS con películas delgadas de dióxido de silicio y oxinitruro de silicio como aislant...
Guardado en:
| Autores principales: | , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1993
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p448 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se investigó la generación de estados superficiales por inyección túnel en la interface aislante-silicio y su distribución energética en función de la carga inyectada y de la polaridad de inyección en transistores PMOS con películas delgadas de dióxido de silicio y oxinitruro de silicio como aislantes de puerta. Comparando los resultados obtenidos, se observó que, para ambas polaridades, la generación de estados superficiales en las muestras nitruradas es menor. Para los dos materiales, el mecanismo de creación de dichos estados resulta ser más efectivo en el caso en que la puerta está polarizada negativamente, es decir cuando los electrones son inyectados en el semiconductor desde la banda de conducción del aislante |
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