Rango de amorfización y procesos de recristalización en aleaciones del sistema MgGaSn
Varias aleaciones de composiciones pertenecientes a la zona rica en Mg del sistema MgGaSn fueron templadas desde el líquido, encontrándose una zona de amortización en el entorno del eutéctico binario Mg₈₀.₈₇ Ga₁₉.₁₃ (% at.). Se estudiaron los procesos de recristalización en aleaciones amorfas con y...
Guardado en:
| Autores principales: | , |
|---|---|
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1993
|
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p392 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Varias aleaciones de composiciones pertenecientes a la zona rica en Mg del sistema MgGaSn fueron templadas desde el líquido, encontrándose una zona de amortización en el entorno del eutéctico binario Mg₈₀.₈₇ Ga₁₉.₁₃ (% at.). Se estudiaron los procesos de recristalización en aleaciones amorfas con y sin Sn de composiciones Mg₈₁.₀₉ Ga₁₈.₉₁ y Mg₈₀.₅₇ Ga₁₇ .₇₆ Sn₁.₆₇ (% at.) por medidas isotérmicas de resistividad a distintas temperaturas y por difracción de rayos X. Se observó que una pequeña adición de estaño al eutéctico binario MgGa produce cambios muy importantes en los productos de la recristalización así como en los tiempos típicos de evolución. Se calcularon las energías de activación para los amorfos estudiados. Se indica, en primera aproximación, el rango de amortización ternario |
|---|