Túnel en estructuras aluminio-dióxido de silicio-silicio
En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Å a 70 Å sobre un extendido rango de corriente 10ˉ⁹ < J < 1 Amp/cm², y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus ca...
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| Autores principales: | , , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1992
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v04_n01_p263 |
| Aporte de: |
| Sumario: | En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Å a 70 Å sobre un extendido rango de corriente 10ˉ⁹ < J < 1 Amp/cm², y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus características salientes son el uso de una relación de dispersión k (E) = k₀ constante en la banda prohibida del aislante, y la inclusión de un factor que atenúa la probabilidad de túnel en forma exponencial con la energía medida desde la banda de conducción del aislante. La derivada dlogJ/dV muestra ser una poderosa herramienta para discriminar entre distintos modelos |
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