Estructura electrónica de óxidos de GaAs

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Se analiza la estructura electrónica de los óxidos GaAsO₄, As₂O₅, y Ga₂O₃. Se presentan resultados experimentales de fotoemisión (XPS) de la densidad de estados (DOS) de banda de valencia para cada uno de los sistemas, y se comparan con cálculos teóricos de la DOS obtenidos a partir del cómputo de l...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Albanesi, Eduardo Aldo, Sferco, S. J., Allan, G., Lannoo, M., Hollinger, G.
Lenguaje:Español
Publicado: 1991
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v03_n01_p367
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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