Interpretación de los mecanismos de transporte en silicio microcristalino intrínseco y dopado

Se realizaron medidas de conductividad en un gran número de películas delgadas de silicio microcristalino con características de semiconductor intrínseco y tipo p dopado con boro. En todas ellas la conductividad en función de la inversa de la temperatura presentó un comportamiento de los portadores...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Concari, Sonia Beatriz, Buitrago, Román Horacio
Formato: Artículo publishedVersion
Lenguaje:Español
Publicado: Asociación Física Argentina 2002
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v14_n01_p235
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires

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