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Crecimiento y caracterización de películas de grafenos epitaxial sobre SiC

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Giannetta, H.M.R., Calaza, C., García Castaño, A., Godignone, P., Fonseca, L., Fraigi, L., Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Micro y Nanoelectrónica. Buenos Aires, AR, Centro Nacional de Microelectrónica. IMB-CNM. Barcelona, ES, TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11
Formato: article
Lenguaje:Español
Publicado: INTI 2013
Materias:
Películas
Carburos
Silicio
Acceso en línea:http://www-biblio.inti.gob.ar:80/gsdl/collect/inti/index/assoc/HASH01b9/9ba03bc0.dir/doc.pdf
Aporte de:
Repositorio Institucional del Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI) de INTI
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Ejemplares similares

  • Crecimiento y caracterización de películas de grafenos epitaxial sobre SiC
    por: Giannetta, H.M.R., et al.
    Publicado: (2013)
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    por: Real, M.A., et al.
    Publicado: (2013)
  • Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
    por: Real, M.A., et al.
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  • por: Auras, Rafael A.
    Publicado: (1999)
  • Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
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    Publicado: (2013)

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