Películas delgadas de semiconductores en medios acuosos
En este trabajo se determinan las propiedades electrónicas de películas delgadasde CdS en contacto con un electrolito acuoso, para lo cual se desarrolló la técnica deconductancia superficial in-situ y se demostró su aplicabilidad para el estudio de otraspelículas semiconductoras. Se desarrolló un mo...
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Lenguaje: | Español |
Publicado: |
Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
1999
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3170_Alcober http://repositoriouba.sisbi.uba.ar/gsdl/cgi-bin/library.cgi?a=d&c=aextesis&d=tesis_n3170_Alcober_oai |
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I28-R145-tesis_n3170_Alcober_oai2023-04-26 Aldabe, Sara de Bilmes Alcober, Carlos Santiago 1999 En este trabajo se determinan las propiedades electrónicas de películas delgadasde CdS en contacto con un electrolito acuoso, para lo cual se desarrolló la técnica deconductancia superficial in-situ y se demostró su aplicabilidad para el estudio de otraspelículas semiconductoras. Se desarrolló un modelo que describe la interfaz semiconductor policristalino /electrolito teniendo en cuenta explícitamente la presencia de barreras intergrano. Estemodelo describe la interfaz de las películas delgadas de CdS y fue aplicado para lainterpretación de los resultados experimentales. A partir de los datos de espectroscopía de impedancia electroquimica,transmitancia modulada y conductancia superficial se determinó el potencial de bandaplana, la densidad de portadores libres, la altura de barreras intergranos y sudependencia con el potencial. In this work, the electronic properties of thin CdS films in contact whit anaqueous electrolyte are determined. For this purpose, in-situ surface conductance wasdeveloped and its usefulness shown for other thin semiconductor films. A microscopicmodel that takes explicitly into account intergrain barriers in the electronic properties of CdS films in contact with an electrolyte was developed, and used in the interpretation ofthe experimental results. Using electrochemical impedance spectroscopy, modulated transmittance andsurface conductance, the flat band potential, free electron density and intergrain barrierheights and its dependence on potential were determined. Fil: Alcober, Carlos Santiago. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina. application/pdf https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3170_Alcober spa Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar CONDUCTANCIA SUPERFICIAL PELICULAS DELGADAS INTERFAZ SEMICONDUCTOR/ELECTROLITO CDS SURFACE CONDUCTANCE POLYCRISTALLINE SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTOR/ELECTROLYTE INTERFACE THIN FILMS Películas delgadas de semiconductores en medios acuosos info:eu-repo/semantics/doctoralThesis info:ar-repo/semantics/tesis doctoral info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://repositoriouba.sisbi.uba.ar/gsdl/cgi-bin/library.cgi?a=d&c=aextesis&d=tesis_n3170_Alcober_oai |
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En este trabajo se determinan las propiedades electrónicas de películas delgadasde CdS en contacto con un electrolito acuoso, para lo cual se desarrolló la técnica deconductancia superficial in-situ y se demostró su aplicabilidad para el estudio de otraspelículas semiconductoras. Se desarrolló un modelo que describe la interfaz semiconductor policristalino /electrolito teniendo en cuenta explícitamente la presencia de barreras intergrano. Estemodelo describe la interfaz de las películas delgadas de CdS y fue aplicado para lainterpretación de los resultados experimentales. A partir de los datos de espectroscopía de impedancia electroquimica,transmitancia modulada y conductancia superficial se determinó el potencial de bandaplana, la densidad de portadores libres, la altura de barreras intergranos y sudependencia con el potencial. |
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