Caracterización de silicio amorfo hidrogenado utilizando técnicas de red fotogenerada

La presente tesis doctoral se enmarca dentro de un plan cuyo objetivo a largo plazo es obtener una celda solar eficiente, con tecnología de lámina delgada, que actúe como fuente renovable de energía. Dentro de este contexto, el camino seguido en esta tesis es el estudio de métodos electro-ópticos qu...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Ventosinos, Federico
Otros Autores:	Schmidt, Javier Alejandro
Formato:	Tesis doctoral acceptedVersion SNRD
Lenguaje:	Español Español
Publicado:	2013
Materias:	Silicio amorfo Fotoconductividad Celdas solares Óptica Densidad de estados Amorphous silicon Photoconductivity Solar cells Density of states Optics
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/11185/430
Aporte de:	Biblioteca Virtual - Tesis (UNL) de Universidad Nacional del Litoral

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description	La presente tesis doctoral se enmarca dentro de un plan cuyo objetivo a largo plazo es obtener una celda solar eficiente, con tecnología de lámina delgada, que actúe como fuente renovable de energía. Dentro de este contexto, el camino seguido en esta tesis es el estudio de métodos electro-ópticos que permitan caracterizar muestras de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H), el cual es uno de los materiales más empleados para producir celdas solares basadas en la tecnología de película delgada. Las técnicas a estudiarse en esta Tesis se enmarcan dentro de los denominados \\emph{métodos fotoconductivos}, pues se basan en hacer incidir luz sobre un semiconductor y utilizar los datos de la fotocorriente generada para inferir características importantes de la muestra en cuestión. Dentro de los parámetros que definen a un semiconductor, la longitud de difusión es uno de los más importantes para cuantificar su calidad en vistas a ser utilizado en dispositivos fotovoltaicos. Los procesos de recombinación, que limitan el valor de dicha longitud de difusión, están gobernados por los estados presentes en la banda prohibida del semiconductor. Es por esto que el objetivo principal de esta Tesis es estudiar técnicas ya conocidas, o idear nuevas propuestas, que permitan obtener información de parámetros como la longitud de difusión, y/o reconstruir la densidad de estados en la banda prohibida del semiconductor, a partir de mediciones de la fotocorriente.
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Caracterización de silicio amorfo hidrogenado utilizando técnicas de red fotogenerada

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