Efecto de los contactos sobre las propiedades eléctricas de silicio poroso nanoestructurado
En este trabajo se presentan resultados preliminares sobre el estudio del efecto de los contactos metálicos de aluminio sobre las propiedades de transporte eléctrico del silicio poroso nanoestructurado sobre sustratos de vidrio. Se realizaron medidas de TSDC entre 270 y 365 K y de dependencia tempor...
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| Autores principales: | , , |
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| Formato: | Capítulo de libro |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Villa Martelli, Buenos Aires :
Asociación Física Argentina,
2010
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| Acceso en línea: | Registro en la Biblioteca Digital Handle DOI |
| Aporte de: | Registro referencial: Solicitar el recurso aquí |
| Sumario: | En este trabajo se presentan resultados preliminares sobre el estudio del efecto de los contactos metálicos de aluminio sobre las propiedades de transporte eléctrico del silicio poroso nanoestructurado sobre sustratos de vidrio. Se realizaron medidas de TSDC entre 270 y 365 K y de dependencia temporal de la corriente con voltajes de polarización entre 0.1 y 1.5 V. Se analiza el incremento de la corriente cuando se aplica el voltaje y la relajación en condiciones de corto circuito en función del tiempo. A partir de las curvas de corriente vs. tiempo (It) medidas, se obtienen curvas corriente vs. voltaje (IV). Las curvas I-V sugieren un comportamiento tipo Schottky y permiten desestimar un mecanismo Poole-Frenkel. Para V < 0.4V, la corriente crece a partir del momento en que se aplica la tensión hasta un tiempo t1(V), siguiendo una ley exponencial. Para t > t1(V) la corriente disminuye siguiendo una ley de potencia de la que finalmente se aparta para saturar. Para V > 0.4V el efecto de disminución de la corriente desaparece. Al llevar el voltaje a cero, la corriente muestra un decaimiento abrupto, con cambio de signo para después subir al valor base. Los experimentos de TSDC mostraron una inversion de la corriente We present preliminary results on the effect of contacts on electrical properties of nanostructured porous silicon supported on glass. TSDC measurements were performed in the 270 - 365 K temperature range. The time dependence of the current for applied bias within the 0.1-1.5V range was also studied. The current increase after the voltage is applied and its relaxation in short circuit conditions are analized. The current-voltage curves (IV) suggest a Schottky behavior, the Poole-Frenkel mechanism being ruled out. When V < 0.4 V is applied, the current increases up till a time t1(V), following an exponential law. For t > t1(V) the current decreases following a power law before saturating. For V > 0.4 V the decrease of current is not further observed. When the applied voltage is removed (short-circuit condition), the current decreases abruptly, changes sign and then increases again towards its stationary value. TSDC experiments show a current sign inversion. |
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| Descripción Física: | p. 42-45 : il., gráfs. |
| Bibliografía: | Referencias bibliográficas. |
| ISSN: | 1850-1168 |
| DOI: | 10.31527/analesafa.2011.22.2.42 |